IGBT芯片技術
1
、芯能半導體憑借多年的技術以及市場積累
，自主研發設計了國際領先的溝槽柵+場終止的IGBT芯片技術
，使產品獲得更佳的性能
。
2
、同時
，為了應對特殊市場
，研發部門還在開發一些專用的IGBT芯片技術
，例如用於電磁加熱市場更高性價比的RC-IGBT芯片等
。
IGBT芯片特點
- 更低的導通損耗
- 更低的開關損耗
- 更快的開關速度
- 更大的安全工作區（SOA）
- 更強的短路能力
- 超薄的芯片 ，更好的散熱
產品列表
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型號
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規格
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封裝
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參數
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應用
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XNA6N60T
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600V/6A
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TO-263
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Vcesat=2.10v
，Tsc>10us
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電機驅動
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XNT10N60T
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600V/10A
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TO-220
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Vcesat=1.65v
，Tsc>10us
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電機驅動
、變頻器
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XNF15N60T
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600V/15A
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TO-220F
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Vcesat=1.90v
，Tsc>10us
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電機驅動
、工縫
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XNF20N60T
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600V/20A
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TO-220F
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Vcesat=1.70v
，Tsc>10us
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電機驅動
、變頻器
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XNS20N60T
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600V/20A
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TO-247
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Vcesat=1.70v
，Tsc>10us
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電機驅動
、變頻器
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XNS40N60T
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600V/40A
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TO-247
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Vcesat=1.75v
，Tsc>10us
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焊機
、電機驅動
、電磁加熱
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XNS40N120T
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1200V/40A
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TO-247
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Vcesat=1.80v
，Tsc>10us
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電焊機
、電機驅動
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XNL40N120T
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1200V/40A
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TO-264
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Vcesat=1.80v
，Tsc>10us
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電焊機
、電機驅動
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SP25N135T
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1350V/25A
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TO-3P
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Vcesat=1.90v
，Tsc>10us
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電磁加熱
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SP25N135TR
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1350V/25A
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TO-3P
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Vcesat=2.10v
，Tsc>10us
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電磁加熱
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XNS25N135TR
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1350V/25A
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TO-247
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Vcesat=2.10v
，Tsc>10us
|
電磁加熱
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